[发明专利]一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法有效
| 申请号： | 201710118094.6 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN106868580B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈松岩;张子启;韩响;林绍铭;李成;黄巍 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C30B33/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电化学 腐蚀 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；所述硅片采用厚度为425～475μm，晶向<100>，电阻率为1～10Ω·cm的硅片；2)将硅片置于电化学腐蚀槽中；所述电化学腐蚀槽是采用腐蚀孔直径为11mm的电化学腐蚀槽；3)配制电解液；所述电解液由HF和DMF混合而成，所述HF的质量浓度为40％，DMF的质量浓度为99.5％；HF与DMF的体积比为1︰2；4)分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；所述电化学腐蚀和硅纳米带剥离的电化学腐蚀时间为60～100min，电流为10～22mA；所述硅纳米带剥离的时间为30～40min，电流为60～70mA；5)将步骤4)得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。
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