[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710119656.9 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107958936B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;郑永均;周洛龙;朴正熙;李钟锡 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈鹏;李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极以及沟道；其中，多个所述沟槽被布置为平面矩阵形状；其中，所述n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕所述沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的所述沟槽之间与所述源电极接触；并且其中，所述p型区域被布置在平面网格类型的所述n+型区域的所述开口中。
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