[发明专利]光掩模布图以及形成精细图案的方法有效
申请号: | 201710123674.4 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107154345B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 林静范;全钟律;金恩娥;李钟旼 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供,该方法包括:在目标层上形成多个第一牺牲图案,该目标层在基板上;在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物;去除该多个第一牺牲图案;形成多个第二牺牲图案,第二牺牲图案与第一间隔物交叉,每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分,突出部部分具有比线部分宽的宽度;在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物;去除第二牺牲图案;以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板,孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。 | ||
搜索关键词: | 光掩模布图 以及 形成 精细 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种形成精细图案的方法,所述方法包括:在目标层上形成多个第一牺牲图案,所述目标层在基板上;在所述多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物;去除所述多个第一牺牲图案;形成多个第二牺牲图案,所述第二牺牲图案与所述第一间隔物交叉,每个所述第二牺牲图案包括线部分和突出部部分,并且所述突出部部分具有比所述线部分宽的宽度;在所述多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物;去除所述多个第二牺牲图案;以及通过孔区域蚀刻所述目标层以暴露所述基板,所述孔区域由所述第一间隔物和所述第二间隔物限定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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