[发明专利]光掩模布图以及形成精细图案的方法有效

专利信息
申请号: 201710123674.4 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN107154345B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 林静范;全钟律;金恩娥;李钟旼 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供,该方法包括:在目标层上形成多个第一牺牲图案,该目标层在基板上;在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物;去除该多个第一牺牲图案;形成多个第二牺牲图案,第二牺牲图案与第一间隔物交叉,每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分,突出部部分具有比线部分宽的宽度;在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物;去除第二牺牲图案;以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板,孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
搜索关键词: 光掩模布图 以及 形成 精细 图案 方法
【主权项】:
一种形成精细图案的方法,所述方法包括:在目标层上形成多个第一牺牲图案,所述目标层在基板上;在所述多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物;去除所述多个第一牺牲图案;形成多个第二牺牲图案,所述第二牺牲图案与所述第一间隔物交叉,每个所述第二牺牲图案包括线部分和突出部部分,并且所述突出部部分具有比所述线部分宽的宽度;在所述多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物;去除所述多个第二牺牲图案;以及通过孔区域蚀刻所述目标层以暴露所述基板,所述孔区域由所述第一间隔物和所述第二间隔物限定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710123674.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top