[发明专利]阵列基板的制作方法

摘要

本申请公开了阵列基板的制作方法，方法包括在衬底基板一侧形成多晶硅层、第一绝缘层、第一光阻层，曝光显影第一光阻层，曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；刻蚀第一光阻层、第一绝缘层和多晶硅层，以使多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构；对多晶硅层进行第一离子注入以形成掺杂的P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区。本申请实施例提供的方案，减少了使用掩膜版的次数，可以降低生产成本，提高生产效率。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，提供一衬底基板；在所述衬底基板一侧形成多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述多晶硅层的一侧形成第一光阻层；对所述第一光阻层曝光显影，使得经过曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构；其中，所述第一图形结构包括用于形成所述P型薄膜晶体管的沟道区的第一区域和用于形成所述P型薄膜晶体管的重掺杂区的第二区域；所述第一区域具有第一厚度，所述第二区域具有第二厚度；所述第二图形结构各处具有第三厚度；所述第一厚度大于所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第二厚度；对所述第一光阻层、所述第一绝缘层和所述多晶硅层进行刻蚀，使得刻蚀后的多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区以及N型薄膜晶体管有源区；刻蚀后的所述P型薄膜晶体管有源区包括重掺杂区和沟道区；刻蚀后的第一光阻层向所述多晶硅层的正投影与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；刻蚀后的所述第一绝缘层向所述多晶硅层的正投影与所述N型薄膜晶体管有源区以及所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区重合；对所述多晶硅层进行第一离子注入，使得第一离子注入后的多晶硅层包括掺杂的所述P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区；其中，所述第二图形结构向所述多晶硅层的正投影与所述N型薄膜晶体管有源区重合，所述第一图形结构的第一区域和第二区域向多晶硅层的正投影分别与所述P型薄膜晶体管有源区的沟道区和重掺杂区重合。