[发明专利]一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法有效
| 申请号： | 201710127031.7 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108538720B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 彭奎庆;付昊鑫;王江 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，属于新材料技术领域。本发明将金属催化硅腐蚀技术与金属腐蚀技术相结合，提出了一种新型的晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，可用于晶体硅表面大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面结构制备。该技术简单易行，不需要添加双氧水等强氧化剂，成本低廉，可工业化生产，所制备的大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面光吸收性能优异，因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 各向异性 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行，(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有氯化铜、盐酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟，然后将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属；(2)将表面清洁的晶体硅片放入含有硫酸铜、盐酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟，然后将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属；(3)将表面清洁的晶体硅片放入含有硝酸铜、盐酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟，然后将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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