[发明专利]电容及制备方法有效
| 申请号： | 201710127185.6 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN107086214B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 翟亚红 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 电容及制备方法，涉及电子器件技术。本发明包括带有沟槽的衬底和设置于沟槽内的电容区，电容区包括自沟槽内表面向沟槽中心区域逐层顺次设置的扩散阻挡层、下电极、介质层和上电极，所述介质层的材料包含具有正交晶格结构的氧化铪。本发明的电容介质层获得铁电性。该铁电电容具有3D结构、与CMOS工艺兼容、大介电常数、可等比例缩小等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.电容制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)在衬底上刻蚀沟槽；2)在扩散阻挡层上制备下电极和粘附层，粘附层设置于下电极和扩散阻挡层之间；3)在下电极的表面沉积介质层，所述介质层的材料包含氧化铪；4)在介质层表面设置上电极；5)在上电极设置完成后的沟槽内填充入填充材料；所述填充材料的热膨胀系数大于1.5*10‑5/℃；6)在沟槽上方覆盖一层表面介质层，所述表面介质层的材料为二氧化硅或氮化硅；7)在表面介质层上方设置挡光层，所述挡光层在填充材料上方区域设置有透光窗口；8)加热；9)去除挡光层、表面介质层和填充材料；10)退火。
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