[发明专利]存储器件的形成方法有效
| 申请号： | 201710131749.3 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106876401B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 华文宇;夏志良;蒋阳波;刘藩东;洪培真;傅丰华;杨要华;曾明;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器件的形成方法，包括：提供底层基底，所述底层基底上具有控制电路；在控制电路上形成顶层基底，在形成顶层基底的过程中采用原位掺杂工艺在所述顶层基底中掺杂导电离子，所述顶层基底具有预设优化厚度，顶层基底包括第一衬底和位于第一衬底上的第二衬底，第一衬底中导电离子的浓度大于第二衬底中导电离子的浓度；在所述顶层基底上形成存储单元电路，所述存储单元电路和所述控制电路电学连接。所述方法使存储器件的性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供底层基底，所述底层基底上具有控制电路；在控制电路上形成顶层基底，在形成顶层基底的过程中采用原位掺杂工艺在所述顶层基底中掺杂导电离子，所述顶层基底具有预设优化厚度，顶层基底包括第一衬底和位于第一衬底上的第二衬底，第一衬底中导电离子的浓度大于第二衬底中导电离子的浓度；在所述顶层基底上形成存储单元电路，所述存储单元电路和所述控制电路电学连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710131749.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：导电桥半导体器件及其制备方法
- 下一篇：一种三维存储器及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
