[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201710131802.X | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573984A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 林杰;黄海英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种CMOS图像传感器及其制作方法。本发明的CMOS图像传感器的制作方法，包括提供前端结构，所述前端结构形成有光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极，所述栅极位于所述光电二极管阱区和隔离环的交界处；在所述栅极侧壁形成第一侧墙；在所述第一侧墙背离所述栅极的一侧形成第二侧墙；以包括所述第一侧墙和第二侧墙为遮蔽在所述隔离环中形成浮动扩散区。使得栅极的侧墙线宽变大，使得浮动扩散区变小，远离了光电二极管阱区，因此从光电二极管阱区溢出的光电子会被隔离环中和，改善了光电二极管阱区至浮动扩散区之间的漏电流，提升CMOS图像传感器的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 阱区 侧墙 隔离环 浮动扩散区 前端结构 制作 栅极侧壁 交界处 漏电流 光电子 变小 线宽 遮蔽 溢出 背离 中和 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构形成有光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极，所述栅极位于所述光电二极管阱区和隔离环的交界处；在所述栅极侧壁形成第一侧墙；在所述第一侧墙背离所述栅极的一侧形成第二侧墙；以及以所述第一侧墙和第二侧墙为遮蔽在所述隔离环中形成浮动扩散区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710131802.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
