[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710132222.2 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573850B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/71 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，在NMOS器件区和PMOS器件区的半导体衬底上均形成有栅极沟槽；在栅极沟槽的底部和侧壁上形成高k介电层；在NMOS器件区内的高k介电层的表面上形成保护层；在含氧气氛下进行退火处理，以在PMOS器件区的半导体衬底和高k介电层之间形成界面层；去除保护层。本发明的方法，在PMOS器件区的栅极沟槽底部形成界面层，高k介电层可以保护界面层使其不被暴露在空气中，显著改善界面层的质量，在NMOS器件区形成有保护层，在NMOS器件区不易形成界面层并且界面态很小，因此本发明的方法改善了器件的可靠性，提高了器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，在所述NMOS器件区和所述PMOS器件区的所述半导体衬底上均形成有栅极沟槽；在所述栅极沟槽的底部和侧壁上形成高k介电层；在所述NMOS器件区内的所述高k介电层的表面上形成保护层；在含氧气氛下进行退火处理，以在所述PMOS器件区的所述半导体衬底和所述高k介电层之间形成界面层；去除所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
