[发明专利]一种直接刻蚀金属基底制备石墨烯基透射电镜载网支撑膜的方法有效
申请号: | 201710133783.4 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN106872501B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 党文辉;彭海琳;郑黎明;邓兵 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G01N23/2202 | 分类号: | G01N23/2202 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;王春霞 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种直接刻蚀金属基底制备石墨烯基透射电镜载网支撑膜的方法。所述方法,包括如下步骤:(1)利用化学气相沉积法在金属基底的表面生长石墨烯;(2)去除生长于所述金属基底的背面的所述石墨烯;(3)在所述石墨烯的表面制备高分子纤维网络,形成金属基底/石墨烯/高分子纤维网络结构;(4)利用光刻的方法在所述金属基底的背面制备周期性图案;(5)利用刻蚀的方法去除暴露于所述周期性图案之外的所述金属基底,然后去除所述周期性图案即得。本发明制备方法避免了石墨烯的转移过程,且无需额外的透射载网,一步刻蚀即可同时得到符合透射电镜制样要求的铜网和石墨烯支撑膜,效率高、成本低且可批量制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 直接 刻蚀 金属 基底 制备 石墨 透射 电镜载网 支撑 方法 | ||
【主权项】:
1.一种直接刻蚀金属基底制备石墨烯基透射电镜载网支撑膜的方法,包括如下步骤:(1)利用化学气相沉积法在金属基底的表面生长石墨烯;(2)去除生长于所述金属基底的背面的所述石墨烯;(3)在所述石墨烯的表面制备高分子纤维网络,形成金属基底/石墨烯/高分子纤维网络结构;(4)利用光刻的方法在所述金属基底的背面制备周期性图案;(5)利用刻蚀的方法去除暴露于所述周期性图案之外的所述金属基底,然后去除所述周期性图案即得所述石墨烯基透射电镜载网支撑膜。
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