[发明专利]自对准晶种层及自对准薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710134405.8 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108573851B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/04;C23C16/24;C23C16/18;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准晶种层及自对准薄膜的制备方法，在衬底上形成材质为无定型碳的掩膜层，图案化所述掩膜层暴露出部分所述衬底，然后在暴露出的所述衬底上依次形成第一晶种层与第二晶种层，无定型碳的偶极矩比较小，使得第一晶种层与无定型碳的吸附力比较小，从而容易去除掩膜层上的第一晶种层，由此提高了制备自对准晶种层的效率；同时，在自对准晶种层的第二晶种层上形成薄膜，能够提高薄膜的表面平整度，达到原子级平整表面，由此获得具有原子级平整表面的自对准薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 晶种层 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准晶种层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层的材质为无定型碳；图案化所述掩膜层，在所述掩膜层内形成凹槽，暴露出部分所述衬底；在暴露出的所述衬底上依次形成第一晶种层与第二晶种层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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