[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710134843.4 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107204318B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 河崎一茂 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是能抑制可靠性的降低的半导体装置及其制造方法。半导体装置包含具备绝缘层的第1衬底、具备第4至第6导电性焊垫的第2衬底、将第1、第4导电性焊垫间电连接的第1凸块、将第2、第5导电性焊垫间电连接的第2凸块、及将第3、第6导电性焊垫间电连接的第3凸块；所述绝缘层具有：第1开口部，使第1导电性焊垫的至少一部分露出且第1导电性焊垫的露出面积具有第1面积；第2开口部，使第2导电性焊垫的至少一部分露出且第2导电性焊垫的露出面积具有第2面积，所述第2面积是与第1面积不同的值；及第3开口部，使第3导电性焊垫的至少一部分露出且第3导电性焊垫的露出面积具有第3面积，所述第3面积是第1面积与第2面积之间的值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：/n第1衬底，具备第1至第3导电性焊垫、及绝缘层；所述绝缘层具有：第1开口部，使所述第1导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第1导电性焊垫的露出面积具有第1面积；第2开口部，使所述第2导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第2导电性焊垫的露出面积具有第2面积，所述第2面积是比所述第1面积窄的面积；及第3开口部，使所述第3导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第3导电性焊垫的露出面积具有第3面积，所述第3面积是所述第1面积与所述第2面积之间的面积；/n第2衬底，以与所述第1衬底对向的方式设置，且具备：具有重叠于所述第1导电性焊垫的第4面积的第4导电性焊垫、具有重叠于所述第2导电性焊垫且比所述第4面积窄的面积即第5面积的第5导电性焊垫、及具有重叠于所述第3导电性焊垫且是所述第4面积与所述第5面积之间的面积即第6面积的第6导电性焊垫；/n第1凸块，将所述第1导电性焊垫与所述第4导电性焊垫之间电连接；/n第2凸块，将所述第2导电性焊垫与所述第5导电性焊垫之间电连接；以及/n第3凸块，将所述第3导电性焊垫与所述第6导电性焊垫之间电连接；且/n所述第2导电性焊垫比所述第1导电性焊垫更接近所述第1衬底的几何中心，/n所述第3导电性焊垫比所述第1导电性焊垫更接近所述第1衬底的几何中心且比所述第2导电性焊垫更远离所述第1衬底的几何中心。/n
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