[发明专利]一种NAND-FLASH的块修复方法及装置有效
| 申请号： | 201710136116.1 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108573735B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 苏志强 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NAND‑FLASH的块修复方法及装置，涉及数据存储器技术领域。本发明提供的一种NAND‑FLASH的块修复方法及装置，在检测到出错块之后，会根据出错块的类型进行相应的修复操作，当该出错块为第一备用块时，先将该第一备用块标记为坏，再利用第二备用块对该第一备用块进行修复，这样一来，由于该第一备用块会被标记为坏，因此，即使第一备用块中之前已写入了被修复块的地址，在访问该第一备用块时也会因其坏的标志位而被排除访问，不但避免了对该第一备用块的无效访问，提高了访问效率，而且，避免了对具有相同修复地址的第一备用块和第二备用块的同时访问所造成的访问冲突，保证了利用第二备用块对该第一备用块进行的修复操作能够达到效果，进而使得修复资源不会被浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 修复 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种NAND‑FLASH的块修复方法，其特征在于，所述方法包括：对NAND‑FLASH进行块检测，确定所述NAND‑FLASH中的出错块；当所述出错块为第一备用块时，将所述出错块标记为坏，并利用第二备用块对所述出错块进行修复；当所述出错块为标准块时，用所述第二备用块对所述出错块进行修复。
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