[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201710138028.5 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107665871A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑安皓;刘峻昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体元件，包含第一保护层位于互连结构之上。该半导体元件进一步包含第一重分布线导孔，延伸贯穿位于第一保护层的开口以电连接互连结构。该第一重分布线导孔包含第一传导材料。该半导体元件进一步包含重分布线位于第一保护层之上并电连接第一重分布线导孔。该重分布线包含异于第一传导材料的第二传导材料。该重分布线以平行于第一保护层的顶面的方向延伸超出第一重分布线导孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含：一第一保护层于一互连结构之上；一第一重分布线导孔延伸贯穿于该第一保护层中的一开口以电连接该互连结构，其中该第一重分布线导孔包含一第一传导材料；以及一重分布线于第一保护层之上并电连接该第一重分布线导孔，其中该重分布线包含一第二传导材料异于该第一传导材料，并且该重分布线以一平行于该第一保护层的一顶面的方向延伸越过该第一重分布线导孔。
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