[发明专利]半导体装置及功率放大电路有效
| 申请号： | 201710141157.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107483024B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 大部功;吉田茂;井手野馨 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/21;H01L27/082 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在低输出功率及高输出功率时都维持较高的功率附加效率、同时提高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：半导体基板，其具有相对的第一及第二主面；第一双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第一发射极层；以及第二双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第二发射极层、以及从该第二发射极层沿第一主面的法线方向进行层叠的电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 功率 放大 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有相对的第一及第二主面；第一双极晶体管，其形成在所述半导体基板的所述第一主面侧，具有第一发射极层；以及第二双极晶体管，其形成在所述半导体基板的所述第一主面侧，具有第二发射极层、以及从该第二发射极层沿所述第一主面的法线方向进行层叠的电阻层。
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