[发明专利]一种锐角金属图形剥离方法有效
| 申请号： | 201710141637.6 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106876253B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种锐角金属图形剥离方法，包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干；S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置；S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层，定义出锐角位置，锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠；S4、在所述锐角位置再次沉积金属；S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形。本发明在传统lift‑off工艺的基础上，进行二次金属沉积，由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠，区域较小，有利于湿法药水进入锐角处，便于光刻胶去除，更易于完成具有完整锐角的金属图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锐角 金属 图形 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锐角金属图形剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干；S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶，采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置；S3、根据所述打开位置，采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层，定义出锐角位置，锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠；S4、在所述锐角位置再次沉积金属；S5、去除光刻胶，得到具有完整锐角的金属图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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