[发明专利]半导体结构及半导体制造方法有效
申请号: | 201710148905.7 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN108122855B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 刘承勋;古进誉;王荣德;谢维伦;王家桦;陈正泓;蔡佩杏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/31 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,其特征在于,包括:半导体装置,具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;第一密封环,安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘;以及第二密封环,安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。
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