[发明专利]一种基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构

摘要

本发明属于集成电路的静电放电保护领域，具体提供一种用于ESD保护的基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构，用以进一步降低LVTSCR器件的触发电压。本发明通过内部结构设计，在器件内部引入一个浮空阱结构；该浮空阱结构等效成一个二极管的结构，其阳极与PMOS的多晶硅栅极相连，阴极与SCR的阳极相连；当ESD脉冲到来时，浮空阱的电势相对于SCR器件的阳极电势要低，当两者之间的电势差足够使PMOS开启；P沟道MOSFET开启后，触发SCR器件内部的寄生NPN晶体管开启，进而触发寄生PNP晶体管开启，最后SCR器件开启泄放ESD电流。因此，器件的触发电压由浮空阱结构和寄生PMOS的栅源电容决定，即可实现减小SCR器件触发电压的目的，且该触发电压可调制。

主权项

一种基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构，包括：第一种导电类型硅衬底；第一种导电类型硅衬底上形成的第二种导电类型深阱区；第二种导电类型深阱区上形成的相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，所述第二种导电类型阱区内设有与阳极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第一种导电类型阱区内设有与阴极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区之间跨接一个第一种导电类型重掺杂区，所述跨接的第一种导电类型重掺杂区和第一种导电类型阱区内第二种导电类型重掺杂区之间的硅表面上设有一个栅氧化层区、且栅氧化层区上覆盖有多晶硅；其特征在于，所述第二种导电类型深阱区上形成有另一个第一种导电类型阱区、邻接于所述第二种导电类型阱区的另一侧，该第一种导电类型阱区中设有一个第一种导电类型重掺杂区，且该第一种导电类型重掺杂区通过金属层与所述多晶硅相连。