[发明专利]一种半导体器件的检测结构及其制备方法、检测方法有效
| 申请号： | 201710153641.4 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108630659B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 夏禹;王奇峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的检测结构及其制备方法、检测方法。所述检测结构包括：基底；至少两个有源区，位于所述基底上，相邻的所述有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离；覆盖层，位于所述有源区的表面并且所述覆盖层为经蚀刻去除其表面的残留物的覆盖层，并且在去除所述残留物之后所述测试结构经过了自对准硅化物工艺处理；互连结构，横跨并电连接相邻的所述有源区；测试端，分别与相互电连接的所述有源区中的任意两个电连接。所述检测结构可以对整个有源区进行检测，提高了检测效率，进而保证所述半导体器件具有较高的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 检测 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的检测结构，其特征在于，所述检测结构包括：基底；至少两个有源区，位于所述基底上，相邻的所述有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离；覆盖层，位于所述有源区的表面并且所述覆盖层为经蚀刻去除其表面的残留物的覆盖层，并且在去除所述残留物之后所述测试结构经过了自对准硅化物工艺处理；互连结构，横跨并电连接相邻的所述有源区；测试端，分别与相互电连接的所述有源区中的任意两个电连接。
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