[发明专利]一种阵列基板以及制作方法在审
申请号: | 201710153697.X | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN106876412A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 林鸿;东海林功;世良贤二;何水;袁永;吴天一 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/44 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 361101 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开了一种阵列基板以及其制作方法,所述阵列基板包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管;第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方;第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅,所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体;第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边电路区,第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区;第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层,且第一薄膜晶体管的源漏电极和第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。本发明解决了显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时,两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题,提高了显示面板的电学性能和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 以及 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于所述衬底基板的上方;所述第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅,所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体;所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区,所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区;所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极位于不同层,且所述第一薄膜晶体管的源漏电极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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