[发明专利]一种阵列基板以及制作方法在审

专利信息
申请号: 201710153697.X 申请日: 2017-03-15
公开(公告)号: CN106876412A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 林鸿;东海林功;世良贤二;何水;袁永;吴天一 申请(专利权)人: 厦门天马微电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/44
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 孟金喆,胡彬
地址: 361101 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明实施例公开了一种阵列基板以及其制作方法,所述阵列基板包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管;第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方;第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅,所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体;第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边电路区,第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区;第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层,且第一薄膜晶体管的源漏电极和第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。本发明解决了显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时,两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题,提高了显示面板的电学性能和稳定性。
搜索关键词: 一种 阵列 以及 制作方法
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于所述衬底基板的上方;所述第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅,所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体;所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区,所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区;所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极位于不同层,且所述第一薄膜晶体管的源漏电极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。
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