[发明专利]介质层和后栅极工艺器件的制备方法有效
| 申请号： | 201710161307.3 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630520B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种介质层和后栅工艺器件的制备方法，包括，在具有一沟槽的衬底上形成一连续的介质层，介质层覆盖衬底的表面和沟槽的侧壁和底部，且所述介质层和所述衬底的热膨胀系数不同；去除位于衬底表面上的介质层后，再执行退火工艺。由于在执行退火工艺之前，将衬底表面上的介质层去除，使沟槽内的介质层独立存在，避免在退火工艺中所述介质层由于热膨胀现象而产生的应力无法得到释放，从而可防止介质层产生裂纹甚至发生断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 栅极 工艺 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介质层的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一沟槽；在所述衬底上形成一连续的介质层，所述介质层覆盖所述衬底的表面和所述沟槽的底部和侧壁，所述介质层和所述衬底的热膨胀系数不同；去除位于所述衬底表面上的介质层并保留位于所述沟槽内的介质层；以及执行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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