[发明专利]使用激光烧蚀的太阳能电池的接触形成有效
申请号: | 201710165852.X | 申请日: | 2010-10-01 |
公开(公告)号: | CN107134498B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 加布里埃尔·哈利;大卫·史密斯;彼得·卡曾斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了使用激光的太阳能电池的接触的形成。制造背接触式太阳能电池的方法包括在单晶衬底上方形成聚晶材料层。所述方法还包括在聚晶材料层上方形成电介质材料堆叠。所述方法还包括通过激光烧蚀在电介质材料堆叠中形成多个接触孔,以及在多个接触孔中形成导电接触,其中每个接触孔暴露聚晶材料层的一部分。 | ||
搜索关键词: | 使用 激光 太阳能电池 接触 形成 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:硅衬底;布置在硅衬底上方的电介质材料;布置在电介质材料上方的多晶硅或非晶硅层,所述多晶硅或非晶硅层具有交替的P型掺杂区和N型掺杂区、以及多个重铸多晶硅或重铸非晶硅标记;布置在多晶硅或非晶硅层上方的电介质堆叠;穿过电介质堆叠的多个导电接触,其中所述多个导电接触中的每个导电接触与多晶硅或非晶硅层中的多个重铸多晶硅或重铸非晶硅标记中的一个对齐,以及其中电介质堆叠包括氮化硅层,以及其中电介质堆叠还包括布置在多晶硅或非晶硅层和氮化硅层之间的二氧化硅层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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