[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在核心区的第一器件区的半导体衬底上设置有第一鳍片，在输入输出区的半导体衬底上设置有第二鳍片，在半导体衬底上设置有横跨所述第一鳍片和所述第二鳍片的伪栅极结构；去除伪栅极结构位于所述核心区的部分，以形成凹槽；在凹槽中露出的第一鳍片表面形成第一材料层，所述第一材料层中包括第一导电类型掺杂杂质；进行退火，以使第一材料层中的所述第一导电类型掺杂杂质扩散进入所述第一鳍片内，从而调节阈值电压；去除输入输出区内的伪栅极材料层；去除第一材料层。本发明的方法热预算更低，使得掺杂杂质的灵敏度更高，并且掺杂少量的掺杂杂质，器件的载流子迁移率更高。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，所述核心区包括第一器件区，在所述第一器件区的半导体衬底上设置有第一鳍片，在所述输入输出区的半导体衬底上设置有第二鳍片，在所述半导体衬底上设置有横跨所述第一鳍片和所述第二鳍片的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括自下而上层叠的伪栅极介电层和伪栅极材料层；去除所述伪栅极结构位于所述核心区的部分，以形成凹槽；在所述凹槽中露出的第一鳍片表面形成第一材料层，所述第一材料层中包括第一导电类型掺杂杂质；进行退火，以使所述第一材料层中的所述第一导电类型掺杂杂质扩散进入所述第一鳍片内，从而调节阈值电压；去除所述输入输出区内的所述伪栅极材料层；去除所述第一材料层。