[发明专利]银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201710167608.7 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106929807A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李中波;杜兆芳 | 申请（专利权）人： | 安徽农业大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/20;C23C18/42;G01N21/65;C08J7/06;C08L33/20 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 李晶晶 |
| 地址： | 230036 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，包括下列步骤将聚丙烯腈溶液浇筑在具有有序纳米竖直孔洞的硅模板上，之后进行烘干，冷却后获得上层的聚丙烯腈膜，即可得到PAN纳米柱有序阵列薄膜；采用离子溅射方法，将所得到的PAN纳米柱阵列薄膜表面溅射金纳米颗粒，即得到金纳米颗粒溅射的PAN纳米柱阵列薄膜；将金纳米颗粒修饰的薄膜与铜片连接在一起置于硝酸银与柠檬酸的混合沉积液中，利用原位池反应在PAN纳米柱表面沉积银纳米片，从而构筑银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底。由本发明方法所获得的衬底具有很好的SERS信号重复性、检测灵敏性和信号均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 修饰 聚丙烯 阵列 薄膜 sers 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：（1）将聚丙烯腈溶液浇筑在具有有序纳米竖直孔洞的硅模板上，之后进行烘干，冷却后获得上层的聚丙烯腈膜，即可得到PAN纳米柱有序阵列薄膜；（2）采用离子溅射方法，将步骤（1）所得到的PAN纳米柱阵列薄膜表面溅射金纳米颗粒，即得到金纳米颗粒溅射的PAN纳米柱阵列薄膜；（3）将步骤（2）中金纳米颗粒修饰的薄膜与铜片连接在一起置于硝酸银与柠檬酸的混合沉积液中，利用原位池反应在PAN纳米柱表面沉积银纳米片，从而构筑银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底。
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