[发明专利]一种高电源抑制比全CMOS基准电压源

摘要

本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。

主权项

一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端；启动电路，帮助基准源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态；电流源电路，利用工作在亚阈值区MOS管工作特性，产生纳安量级的基准电流；采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声；采用工作在线性区的MOS管代替传统基准电压源中的电阻，为基准电压产生电路提供电流偏置；温度补偿电路，利用不同的MOS管形成栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压；其特征在于：电流源电路包括PMOS管M6、M7、M11、M12、M15、M16，以及NMOS管M8、M9、M10、M13、M14、M17、M18；PMOS管M6、M11和M15的源极连接到电源VDD；NMOS管M10、M14、M18的源极连接到地GND；PMOS管M6的栅极和漏极、PMOS管M7的源极、PMOS管M11和M15的栅极相连接，形成电流源电路的第一输出端，并与温度补偿电路的第一输入端连接；PMOS管M7的栅极和漏极与NMOS管M8的漏极、PMOS管M12和M16的栅极相连接，形成电流源电路的第二输出端，并与温度补偿电路的第二输入端连接；NMOS管M8的栅极与PMOS管M12的漏极、NMOS管M13的栅极和漏极相连接，形成电流源电路的输入端，并与启动电路的输出端连接；NMOS管M8的源极与NMOS管M9的漏极相连接；NMOS管M9的栅极、NMOS管M14的栅极和漏极与NMOS管M13的源极相连接；NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连接；NMOS管M10、M17和M18的栅极和NMOS管M17的漏极连接到PMOS管M16的漏极；PMOS管M11的漏极与PMOS管M12的源极相连接；PMOS管M15的漏极与PMOS管M16的源极相连接；NMOS管M17的源极与NMOS管M18的漏极相连接。