[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及显示面板

摘要

本申请公开了薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。薄膜晶体管的一具体实施方式包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，栅极形成于栅极金属层，有源层形成于氧化物半导体层，源极和漏极形成于源漏金属层，源漏金属层位于氧化物半导体层远离栅极金属层的一侧，且源极和漏极与有源层相接触；栅极与有源层之间设有栅极绝缘层；栅极绝缘层对任意波长为λ₁的光的透过率低于对任意波长为λ₂的光的透过率；其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm。采用本申请的方案，可以提升薄膜晶体管的稳定性。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极形成于栅极金属层，所述有源层形成于氧化物半导体层，所述源极和所述漏极形成于源漏金属层，所述源漏金属层位于所述氧化物半导体层远离所述栅极金属层的一侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层相接触；所述栅极与所述有源层之间设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述第一栅极绝缘层远离所述栅极金属层的一侧；所述栅极绝缘层对任意波长为λ₁的光的透过率低于对任意波长为λ₂的光的透过率；其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm；所述第一栅极绝缘层对于任意波长为λ₃的光的折射率为n₁，所述第二栅极绝缘层对于任意波长为λ₃的光的折射率为n₂，1.88≤n₁≤2.15，1.45≤n₂≤1.60；其中，400nm≤λ₃≤780nm。