[发明专利]形成用于心轴及非心轴互连线的自对准连续性区块的方法在审
申请号: | 201710172840.X | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107452673A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 桂宗郁;王艳;汪辰辰;王文辉;袁磊;曾嘉;古拉梅·伯奇 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种形成用于心轴及非心轴互连线的自对准连续性区块的方法,其中,在集成电路中形成用于互连线的图案的方法包含提供一结构,其具有第一光刻堆叠、心轴层及设置于介电堆叠上面的图案层。图案化该结构以在该心轴层中形成数个心轴以及设置间隔体层于该心轴上面。蚀刻该间隔体层以形成设置于该心轴的侧壁上的数个间隔体。该间隔体及心轴界定贝塔及伽马区域。贝塔区域包括贝塔区块掩模部以及伽马区域包括该图案层的伽马区块掩模部。该方法也包括蚀刻在该贝塔区块掩模部上面的贝塔柱体以及蚀刻在该伽马区块掩模部上面的伽马柱体。该方法也包括蚀刻该结构以在该图案层中形成一图案,该图案包括该伽马及贝塔区块掩模部。 | ||
搜索关键词: | 形成 用于 心轴 互连 对准 连续性 区块 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包含:提供一结构,其具有第一光刻堆叠、心轴层及设置于介电堆叠上面的图案层;图案化该结构以在该心轴层中形成数个心轴;设置间隔体层于该心轴上面;蚀刻该间隔体层以形成设置于该心轴的侧壁上的数个间隔体,该间隔体及该心轴界定正交地延伸穿过该介电堆叠的贝塔及伽马区域,贝塔区域包括贝塔区块掩模部以及伽马区域包括该图案层的伽马区块掩模部;蚀刻在该贝塔区块掩模部上面的贝塔柱体掩模,该贝塔柱体掩模不在任何毗邻贝塔区域上面延伸;蚀刻在该伽马区块掩模部上面的伽马柱体掩模,该伽马柱体掩模不在任何毗邻伽马区域上面延伸;以及蚀刻该结构以在该图案层中形成一图案,该图案包括该伽马及贝塔区块掩模部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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