[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

半导体结构的制造方法包含在导电部件上形成介电层，在介电层上形成具有第一开口的第一掩模。在第一掩模上形成第二掩模，在第二掩模上形成具有第二开口的第三掩模。在第三掩模上形成具有第三开口的第四掩模，第三开口的一部分与第二开口重叠。将第三开口的此部分转移至第二掩模以形成第四开口，第四开口的一部分与第一开口重叠。将第四开口的此部分转移至介电层以形成第五开口。第五开口延伸至介电层中以形成延伸的第五开口，延伸的第五开口暴露出导电部件，将导电材料填入延伸的第五开口。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：在一导电部件上形成一介电层；在该介电层上形成一第一掩模；将该第一掩模图案化以在该第一掩模内形成一第一开口；在该第一掩模上形成一第二掩模；在该第二掩模上形成一第三掩模；将该第三掩模图案化以在该第三掩模内形成一第二开口；在该第三掩模上形成一第四掩模；将该第四掩模图案化以在该第四掩模内形成一第三开口，在俯视图中，该第三开口的一部分与该第二开口重叠；将该第三开口的该部分转移至该第二掩模，藉此在该第二掩模内形成一第四开口，在俯视图中，该第四开口的一部分与该第一开口重叠；将该第四开口的该部分转移至该介电层，藉此在该介电层内形成一第五开口，该第五开口的底部在该介电层中；将该第五开口延伸至该介电层内，藉此形成一延伸的第五开口，该延伸的第五开口暴露出该导电部件的至少一部分；以及将一导电材料填入该延伸的第五开口。