[发明专利]一种检验NandFlash质量的方法及系统在审
| 申请号： | 201710174028.0 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106971757A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;李振华;叶欣 | 申请（专利权）人： | 惠州佰维存储科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/38 | 分类号： | G11C29/38 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲恺高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及Nand Flash质量检验领域，特别涉及一种检验Nand Flash质量的方法及系统。本发明是通过S1、校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息，获得校验不合格的内存块的编号；S2、根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表；S3、存储预设第一数据至所述内存块；S4、读取所述内存块内数据得到第二数据；S5、将所述第一数据与所述第二数据比对，获得比对不同的内存块的编号；S6、根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表；S7、若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同，则确定所述Nand Flash为不合格。确保了出厂的Nand Flash的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检验 nandflash 质量 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，包括：S1、校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息，获得校验不合格的内存块的编号；S2、根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表；S3、存储预设第一数据至所述内存块；S4、读取所述内存块内数据得到第二数据；S5、将所述第一数据与所述第二数据比对，获得比对不同的内存块的编号；S6、根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表；S7、若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同，则确定所述Nand Flash为不合格。
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