[发明专利]一种平坦化方法有效
| 申请号： | 201710180563.7 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108630537B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林仁杰;陈豊元;林文钦;黄祈纶;庄必泓;陈泰霖;陈筍弘 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种平坦化方法，包含提供基底，其上形成有一半导体结构。在基底上形成介电层，在介电层上形成掩模层。进行第一化学机械研磨制作工艺以移除半导体结构正上方的部分掩模层，形成开口暴露出部分介电层。进行一蚀刻制作工艺，自开口各向同性地移除部分介电层。移除掩模层后，对剩余的介电层进行第二化学机械研磨制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平坦化方法，包含:提供一基底，一半导体结构形成于该基底上；在基底上形成一介电层，该介电层覆盖该半导体结构的部分具有一第一表面，其余部分具有一第二表面；在该介电层上形成一掩模层；进行一第一化学机械研磨制作工艺，移除该半导体结构正上方的该掩模层以形成一开口，暴露出该介电层；进行一蚀刻制作工艺，自该开口各向同性地移除该介电层至一第三表面；移除该掩模层；以及进行一第二化学机械研磨制作工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司，未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710180563.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加工方法
- 下一篇：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
