[发明专利]叠层结构及其制备方法在审
申请号: | 201710188507.8 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN106952927A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 元淼;赵娜 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 牛南辉,李峥 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种叠层结构及其制备方法。所述叠层结构包括基板;位于所述基板上的至少一个材料层;穿过所述至少一个材料层的至少一部分的过孔,其中,所述过孔具有台阶状的侧表面;以及保形覆盖所述过孔的侧表面的另一材料层。所述至少一个材料层的厚度与所述另一材料层的厚度的比率大于10。本公开实施例提供的叠层结构能够降低材料覆盖过孔时由于材料爬坡困难而发生断线的风险,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种叠层结构,其特征在于,包括:基板;位于所述基板上的至少一个材料层;穿过所述至少一个材料层的至少一部分的过孔,其中,所述过孔具有台阶状的侧表面;以及保形覆盖所述过孔的侧表面的另一材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的