[发明专利]存储系统及其操作方法有效
| 申请号： | 201710193397.4 | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN107093448B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 全昺熙;郭东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C16/06;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘虹;邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括随机访问存储器RAM和三维非易失性存储器，所述三维非易失性存储器包括页缓冲器和布置在第一行中并被配置为将第一页数据和第二页数据存储为多比特数据的多级存储单元，所述方法包括：擦除第一行的多级存储单元；从外部设备接收第一页数据和第二页数据；将第一页数据存储到RAM；将第二页数据存储到RAM；将第一页数据加载到页缓冲器；将第二页数据加载到页缓冲器；以及通过将存储在页缓冲器中的第一页数据和存储在页缓冲器中的第二页数据同时编程到所述第一行的经擦除的多级存储单元，来执行对多比特数据的一次性编程过程。 | ||
| 搜索关键词： | 存储系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括随机访问存储器RAM和三维非易失性存储器，所述三维非易失性存储器包括页缓冲器和布置在第一行中并被配置为将第一页数据和第二页数据存储为多比特数据的多级存储单元，所述方法包括：擦除第一行的多级存储单元；从外部设备接收第一页数据和第二页数据；将第一页数据存储到RAM；将第二页数据存储到RAM；将第一页数据加载到页缓冲器；将第二页数据加载到页缓冲器；以及通过将存储在页缓冲器中的第一页数据和存储在页缓冲器中的第二页数据同时编程到所述第一行的经擦除的多级存储单元，来执行对多比特数据的一次性编程过程；其中，所述对多比特数据的一次性编程过程是通过将第一页数据和第二页数据同时编程到所述经擦除的多级存储单元来完成的，并且其中第一页数据和第二页数据被同时编程在所述第一行的经擦除的多级存储单元当中的相同存储单元中。
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