[发明专利]接触垫结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710200967.8 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN107301990B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 江昱维;叶腾豪;邱家荣;林志曜 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种接触垫结构,包括交替堆叠的N层(N≥6)绝缘层及N层导电层,且具有排成二维阵列的N个区域露出各导电层。当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层时,同列的区域中露出的导电层的编号Ln朝一行方向递减,相邻两列的区域之间的Ln值差异固定,同行的区域中Ln由两端向中央渐减,且相邻两行的区域之间的Ln值差异固定。
搜索关键词: 接触 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种接触垫结构,包括交替堆叠的N层绝缘层及N层导电层,且具有N个区域暴露出各个导电层,N≥6,其中所述区域排列成P行×Q列的二维阵列,P≥3、Q≥2,当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层且区域(i,j),i=1~P,j=1~Q,暴露出的导电层为第Lni,j导电层时,第j行的P个区域及第j+1行的P个区域之间的Ln值差异固定,即Ln1,j‑Ln1,j+1=Ln2,j‑Ln2,j+1=…=LnP,j‑LnP,j+1=P,并且在第j行的P个区域中,|Lni,j‑Lni+1,j|≤2,并且所述P个区域形成具有凹陷形状或凸起形状的不对称结构;当P是奇数时,该凸起形状在位于一行的中间的第h个区域处具有中心最高点,或者当P是偶数时,该凸起形状在位于一行的中间或从一行的中间偏移一个区域的第h个区域处具有中心最高点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710200967.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top