[发明专利]接触垫结构及其制造方法有效
申请号: | 201710200967.8 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN107301990B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 江昱维;叶腾豪;邱家荣;林志曜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种接触垫结构,包括交替堆叠的N层(N≥6)绝缘层及N层导电层,且具有排成二维阵列的N个区域露出各导电层。当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层时,同列的区域中露出的导电层的编号Ln朝一行方向递减,相邻两列的区域之间的Ln值差异固定,同行的区域中Ln由两端向中央渐减,且相邻两行的区域之间的Ln值差异固定。 | ||
搜索关键词: | 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种接触垫结构,包括交替堆叠的N层绝缘层及N层导电层,且具有N个区域暴露出各个导电层,N≥6,其中所述区域排列成P行×Q列的二维阵列,P≥3、Q≥2,当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层且区域(i,j),i=1~P,j=1~Q,暴露出的导电层为第Lni,j导电层时,第j行的P个区域及第j+1行的P个区域之间的Ln值差异固定,即Ln1,j‑Ln1,j+1=Ln2,j‑Ln2,j+1=…=LnP,j‑LnP,j+1=P,并且在第j行的P个区域中,|Lni,j‑Lni+1,j|≤2,并且所述P个区域形成具有凹陷形状或凸起形状的不对称结构;当P是奇数时,该凸起形状在位于一行的中间的第h个区域处具有中心最高点,或者当P是偶数时,该凸起形状在位于一行的中间或从一行的中间偏移一个区域的第h个区域处具有中心最高点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710200967.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置的散热结构
- 下一篇:半导体装置及其制造方法