[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710201621.X | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106952963B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 赵瑾荣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置，显示技术领域，能够提高针对源漏极的离子注入效率，降低源漏极与有源层的接触电阻。该薄膜晶体管包括设置于衬底基板上的源极、漏极、栅极、栅极绝缘层以及主要由多晶硅组成的有源层，且源极和漏极、栅极位于有源层的上方；源极和/或漏极在与有源层接触的区域具有至少一个通孔，有源层在对应通孔的区域掺杂有离子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于衬底基板上的源极、漏极、栅极、栅极绝缘层以及主要由多晶硅组成的有源层，且所述源极和所述漏极、所述栅极位于所述有源层的上方；所述源极和/或所述漏极在与所述有源层接触的区域具有至少一个通孔，所述有源层在对应所述通孔的区域掺杂有离子，所述有源层在对应所述通孔的区域掺杂的离子浓度大于所述有源层在除所述通孔的区域以外的区域掺杂的离子浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710201621.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：农用节能膜
- 下一篇：一种摄像头立体保护膜
- 同类专利
- 专利分类
