[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201710201871.3 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107275259B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 稻富弘朗;中村徹;木本晃司;清原康雄;冈村聪;枇杷聪;山元伸矢;大川胜宏;矢羽田庆一;中原哲郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中，具有：使用处理液来对基板进行液处理的液处理部；对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部；将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部；从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部；输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：液处理部，其使用处理液对基板进行液处理；干燥处理部，其对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理；第1输送部，其将处理前的所述基板向所述液处理部输送；第2输送部，其从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板；第3输送部，其输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板，并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并且与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
