[发明专利]半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法

摘要

本发明提供了制造半导体存储器件的方法和半导体存储器件，该方法包括：制备具有单元阵列区和接触区的衬底；在衬底上形成薄膜结构，其包括形成由下部隔离区水平地隔离的牺牲膜图案，以及形成顺序地堆叠在牺牲膜图案上的牺牲膜；以及形成两个或更多个开口，所述两个或更多个开口穿透薄膜结构以在暴露单元阵列区的下部隔离区的一部分的同时在一个方向上延伸，下部隔离区形成于包括在所述两个或更多个开口之间的区域的区域中。

主权项

1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：制备具有单元阵列区和接触区的衬底；在所述衬底上形成薄膜结构，其包括形成由下部隔离区水平地隔离的牺牲膜图案，以及形成顺序地堆叠在所述牺牲膜图案上的牺牲膜；以及形成两个或更多个开口，所述两个或更多个开口穿透所述薄膜结构以在暴露所述单元阵列区的所述下部隔离区的一部分的同时在一个方向上延伸，其中所述下部隔离区形成于包括在所述两个或更多个开口之间的区域的区域中。