[发明专利]一种TFT背板的制作方法及TFT背板

摘要

本申请公开了一种TFT背板的制作方法及TFT背板。该方法包括：准备基板；在基板上依次形成第一活性区、第一氧化物层、氮化物层、及相互独立的第一、第二栅极；去除第一、第二栅极覆盖不到的氮化物层；沉积第二绝缘层；在第二栅极上方的第二绝缘层上形成与第一活性区的材质不同的第二活性区；分别形成第一、第二源电极、第一、第二漏电极。该方法能够提高该TFT背板的性能。

主权项

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括：准备基板；在所述基板上形成第一活性区；其中，所述第一活性区为多晶硅材质；在所述第一活性区上及未被所述第一活性区覆盖的所述基板上依次沉积氧化物层及氮化物层作为第一绝缘层；在所述氮化物层上分别形成相互独立的第一栅极及第二栅极，且所述第一栅极位于所述第一活性区上方；去除所述第一、第二栅极覆盖不到的所述氮化物层；在所述第一、第二栅极及未被所述氮化物层覆盖的所述氧化物层上沉积第二绝缘层；在所述第二栅极上方的所述第二绝缘层上形成第二活性区；其中，所述第二活性区与所述第一活性区的材质不同；为所述第一活性区及所述第二活性区分别制备第一源极、第一漏极及第二源极、第二漏极。