[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710205696.5 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107393951A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 菅井勇;西村武义 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 孙昌浩,李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够形成热历程少的超结的结构的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具备接触沟槽，其形成在2个栅极沟槽之间，贯穿源极区且其下端配置于基极区；以及第二导电型的突出部，在与接触沟槽的下端对置的区域，以向基极区的下端的下侧突出的方式形成，从源极区的上端起到突出部的下端为止的深度为3μm以上，在与深度方向垂直的横向与突出部邻接的第一导电型的区域的载流子浓度Nd和突出部的载流子浓度Na满足预定的算式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其形成于所述半导体基板的上表面侧；第二导电型的基极区，其形成于所述漂移区的上方；第一导电型的源极区，其形成于所述基极区的上方；2个以上的栅极沟槽，其以从所述源极区的上端侧起贯穿所述源极区和所述基极区的方式形成；接触沟槽，其形成于2个栅极沟槽之间，贯穿所述源极区且其下端配置于所述基极区；以及第二导电型的突出部，其在与所述接触沟槽的下端对置的区域，以向所述基极区的下端的下侧突出的方式形成，从所述源极区的上端起到所述突出部的下端为止的深度为3μm以上，在与深度方向垂直的横向与所述突出部邻接的第一导电型的区域的载流子浓度Nd与所述突出部的载流子浓度Na满足下式：【数学式1】0.9≤Wc-WtWt×NdNa≤1.1,]]>其中，Wc为所述2个栅极沟槽的间隔，Wt为所述接触沟槽的宽度。
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