[发明专利]一种闪存及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一闪存及其制造方法，涉及半导体存储技术领域，其中制造方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底具有隔离区和有源区，有源区包括栅极区、源极区和漏极区，栅极区上具有层叠绝缘设置的浮栅和控制栅；在源极区注入掺杂离子；在隔离区、以及层叠绝缘设置的浮栅和控制栅的侧壁上形成隔离层；在源极区以及源极区两侧的隔离区形成掺杂多晶硅层。本发明实施例提供的闪存及其制造方法，采用掺杂多晶硅层作为源极区的导电沟槽，取代了易受光阻影响的离子注入导电沟槽，解决了源极刻蚀中的光阻残余对源极电阻的影响，提高了器件的可靠性。

主权项

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离区和有源区，所述有源区包括栅极区、源极区和漏极区，所述栅极区上具有层叠绝缘设置的浮栅和控制栅；在所述源极区注入掺杂离子；在所述隔离区、以及所述层叠绝缘设置的浮栅和控制栅的侧壁上形成隔离层；在所述源极区以及所述源极区两侧的隔离区形成掺杂多晶硅层。