[发明专利]双层结构的硅电容器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种双层结构的硅电容器及其制造方法，包括P型衬底，其特征是在所述P型衬底上表面形成多个硅槽，在P型衬底的上表面和硅槽的表面掺杂N型杂质推结形成N型导电层，在N型导电层上依次设置第一层介质层、第一层多晶、第二层介质层和第二层多晶，在第二层多晶上设置绝缘介质层，在绝缘介质层上设置第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔，第一接触孔的底部与N型导电层接触，第二接触孔的底部与第一层多晶接触，第三接触孔的底部与第二层多晶接触；在所述第一接触孔和第三接触孔处设置第一外电极金属，在第三接触孔处设置第二外电极金属。本发明采用介质和原位掺杂多晶交叠淀积在硅槽内形成双层纳米硅槽电容，制造工艺简单。

主权项

一种双层结构的硅电容器，包括P型衬底（1），其特征是：在所述P型衬底（1）上表面形成多个硅槽（2），硅槽（2）从P型衬底（1）的上表面向下表面方向延伸；在所述P型衬底（1）的上表面和硅槽（2）的表面掺杂N型杂质推结形成N型导电层，作为第一层电容的内部电极，在P型衬底（1）和硅槽（2）的N型导电层上依次设置第一层介质层（3）、第一层多晶（4）、第二层介质层（5）和第二层多晶（6），第一层多晶（4）作为第一层电容和第二层电容的公共内部电极，第二层多晶（6）作为第二层电容的内部电极；在所述第二层多晶（6）上设置绝缘介质层（7），绝缘介质层（7）覆盖住下方的第一层介质层（3）、第一层多晶（4）、第二层介质层（5）和第二层多晶（6）；在所述绝缘介质层（7）上设置第一接触孔（8）、第二接触孔（10）和第三接触孔（11），第一接触孔（8）的底部与N型导电层接触，第二接触孔（10）的底部与第一层多晶（4）接触，第三接触孔（11）的底部与第二层多晶（6）接触；在所述第一接触孔（8）和第三接触孔（11）处设置第一外电极金属（9），在第三接触孔（11）处设置第二外电极金属（12），第一外电极金属（9）和N型导电层和第二层多晶（6）接触，第二外电极金属（12）和第一层多晶（4）接触，第一外电极金属（9）和第二外电极金属（12）之间由绝缘介质层（7）相隔离。