[发明专利]电容性侧面位置外推有效
申请号: | 201710208607.2 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN107272970B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 種村哲夫;P.谢佩列夫 | 申请(专利权)人: | 辛纳普蒂克斯公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G06F3/041 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 秦琳;郑冀之 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及电容性侧面位置外推。一种用于电容性感测的方法包括:获取包括感测区的感测信号的影响的互电容性测量结果,以及获取包括所述感测信号的影响的绝对电容性测量结果。所述方法还包括执行所述互电容性测量结果与所述绝对电容性测量结果的比较,以及基于所述比较来检测接近于输入设备的侧表面的输入对象的存在。所述侧表面与所述输入设备上的感测区至少基本上正交。所述方法还包括报告所述输入对象的存在。 | ||
搜索关键词: | 电容 侧面 位置 | ||
【主权项】:
一种被配置用于电容性侧面触摸响应外推的处理系统,所述处理系统包括:具有用于以下的功能性的传感器电路:在感测区的多个传感器电极上驱动感测信号,所述感测区包括表面感测区,获取包括所述感测信号的影响的互电容性测量结果,以及获取包括所述感测信号的影响的第一绝对电容性测量结果;以及具有用于以下的功能性的处理电路:执行所述互电容性测量结果与所述第一绝对电容性测量结果的第一比较,基于所述第一比较来检测接近于输入设备的侧表面的输入对象的存在,其中所述侧表面与所述输入设备上的表面感测区至少基本上正交,以及报告所述输入对象的存在。
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