[发明专利]一种多层金属层的蚀刻方法有效
申请号: | 201710212918.6 | 申请日: | 2017-04-01 |
公开(公告)号: | CN106847690B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 武岳;李珊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种多层金属层的蚀刻方法,包括:在上层金属层表面上涂覆光阻层;对光阻层进行曝光显影,以在多层金属层表面上形成蚀刻区域;对多层金属层进行湿蚀刻,将蚀刻至预设位置的时间点作为湿蚀刻终点,该预设位置位于多层金属层的内部;停止湿蚀刻并将衬底基板进行干燥处理后,对预设位置以下的多层金属层部分进行干蚀刻并将其蚀刻完;剥离位于上层金属层上的光阻层,完成蚀刻操作;其中,湿蚀刻至预设位置时,光阻层下表面尚存在可维持其不脱落的上层金属层,光阻层尚覆盖在蚀刻区域外的上层金属层上。本发明可以在蚀刻完多层金属层后,保护好上层金属层,进而保证光阻层不会脱落。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 金属 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多层金属层的蚀刻方法,所述多层金属层设于衬底基板上,其从上往下包括上层金属层、中层金属层及下层金属层,其特征在于,该蚀刻方法包括:/n在所述上层金属层表面上涂覆光阻层;/n对所述光阻层进行曝光显影,以在所述多层金属层表面上形成蚀刻区域;/n对所述多层金属层进行湿蚀刻,将蚀刻至预设位置的时间点作为湿蚀刻终点,所述预设位置位于所述下层金属层的表面;/n停止湿蚀刻并将所述衬底基板进行干燥处理后,对所述预设位置以下的所述多层金属层部分进行干蚀刻并将其蚀刻完;/n剥离位于所述上层金属层上的所述光阻层,完成蚀刻操作;/n其中,湿蚀刻至所述预设位置时,所述光阻层下表面尚存在可维持其不脱落的所述上层金属层,所述光阻层尚覆盖在所述蚀刻区域外的所述上层金属层上,蚀刻操作完成后,所述蚀刻区域外的所述中层金属层与所述上层金属层的侧边形成坡度角,所述坡度角位于其对应的所述下层金属层的表面内,且该对应的所述下层金属层的两端形成有凸块,所述凸块的顶边与所述坡度角的斜边形成钝角。/n
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造