[发明专利]晶体管面板在审

专利信息
申请号: 201710216809.1 申请日: 2017-04-05
公开(公告)号: CN107342323A 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 李光洙;梁伸赫;金斗铉;金志训 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司11018 代理人: 康泉,宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种晶体管面板。所述晶体管面板包括沟道区,包括第一金属的氧化物;源极区和漏极区,各自包括第一金属,其中沟道区设置在源极区与漏极区之间,并且其中沟道区连接到源极区和漏极区;绝缘层,设置在沟道区上;上电极,设置在绝缘层上;层间绝缘层,设置在上电极、源极区和漏极区上;以及阻挡层,包括设置在层间绝缘层与源极区和漏极区中的每个之间的第一部分,其中阻挡层的第一部分与源极区和漏极区中的每个接触。上电极和阻挡层各自包括第二金属。
搜索关键词: 晶体管 面板
【主权项】:
一种晶体管面板,包括:沟道区,包括第一金属的氧化物;源极区和漏极区,各自包括所述第一金属,其中所述沟道区设置在所述源极区与所述漏极区之间,并且其中所述沟道区连接到所述源极区和所述漏极区;绝缘层,设置在所述沟道区上;上电极,设置在所述绝缘层上;层间绝缘层,设置在所述上电极、所述源极区和所述漏极区上;以及阻挡层,包括第一部分,所述第一部分设置在所述层间绝缘层与所述源极区和所述漏极区中的每个之间,其中所述阻挡层的所述第一部分与所述源极区和所述漏极区中的每个接触,其中所述上电极和所述阻挡层各自包括第二金属。
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