[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710217084.8 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN106997880A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄贤国;游步东;吕政 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市文*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构主要包括半导体衬底，位于所述半导体衬底中的第一掺杂区，位于所述半导体衬底表面的第一区域的隔离层，位于所述半导体衬底表面的第二区域的第一介质层，具有图案化的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的第一部分位于所述第一介质层上，所述第一多晶硅层的第二部分位于所述隔离层上，所述多晶硅层的第一部分与第二部分为分离的两部分，其中，所述第一掺杂区用作第一电容的下极板，所述第一多晶硅层的第一部分用作所述第一电容的上极板，所述第一多晶硅层的第二部分用作多晶硅电阻。其中，所述第一电容上极板与所述多晶硅电阻采用一步图案化工艺形成，有效的简化了制备工艺，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底中的第一掺杂区，位于所述半导体衬底表面的第一区域的隔离层，位于所述半导体衬底表面的第二区域的第一介质层，具有图案化的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的第一部分位于所述第一介质层上，所述第一多晶硅层的第二部分位于所述隔离层上，所述多晶硅层的第一部分与第二部分为分离的两部分，其中，所述第一掺杂区用作第一电容的下极板，所述第一多晶硅层的第一部分用作所述第一电容的上极板，所述第一多晶硅层的第二部分用作多晶硅电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
