[发明专利]化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 201710218369.3 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107083543B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王国超 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种化学气相沉积装置，对现有的用于制作阵列基板的化学气相沉积装置的进行改造，通过在挡板(11)对应待沉积的半板(12)的区域设置沉积槽(111)，使沉积槽(111)的一边与挡板(11)的中轴线重合，剩余的三边与挡板(11)的相应边的距离相同，即能够在半板(12)上沉积薄膜，减少购买新机台所投资的费用，且改造费用低、改造周期短，有效降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 挡板 化学气相沉积装置 沉积槽 半板 机台 改造 沉积薄膜 区域设置 阵列基板 中轴线 重合 沉积 制作 购买 投资 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：支撑基座(13)、平铺在所述支撑基座(13)一侧上的待沉积的半板(12)、及设于所述待沉积的半板(12)上且遮挡该待沉积的半板(12)的四周边缘的挡板(11)；/n所述挡板(11)对应待沉积的半板(12)的区域设有沉积槽(111)，所述沉积槽(111)用于确定待沉积的半板(12)的薄膜沉积区域；/n所述沉积槽(111)的一边与挡板(11)的中轴线重合，剩余的三边与挡板(11)的相应边的距离相同；/n所述挡板(11)的四周边缘的厚度比挡板(11)的剩余部分的厚度大；/n所述挡板(11)的四周边缘的厚度至少是挡板(11)的剩余部分的厚度的三倍。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
