[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710220805.0 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN108695173B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括：埋设的若干光电二极管区；金属互连层；光电二极管区外侧的第一凹槽，第一凹槽的底部露出部分金属互连层；在器件晶圆上形成图案化的掩膜层，掩膜层中形成有第一开口以及形成有露出第一凹槽以及第一凹槽外侧的焊垫区的第二开口，第一开口的数量为若干个并间隔设置；在第一开口的底部、第二开口的底部以及第一凹槽的底部和侧壁上形成导电材料层，第二开口底部以及第一凹槽底部和侧壁上的导电材料层为与金属互连层电连接的导电层；去除掩膜层，使得导电材料层除导电层之外的部分形成网格结构，网格结构在对应掩膜层的位置形成有网格开口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括：埋设的若干光电二极管区；金属互连层；所述光电二极管区外侧的第一凹槽，所述第一凹槽的底部露出部分所述金属互连层；在所述器件晶圆上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层中形成有第一开口以及形成有露出所述第一凹槽以及所述第一凹槽外侧的焊垫区的第二开口，所述第一开口的数量为若干个并间隔设置；在所述第一开口的底部、所述第二开口的底部以及所述第一凹槽的底部和侧壁上形成导电材料层，所述第二开口底部以及所述第一凹槽底部和侧壁上的所述导电材料层为与所述金属互连层电连接的导电层；去除所述掩膜层，使得所述导电材料层除所述导电层之外的部分形成网格结构，所述网格结构在对应所述掩膜层的位置形成有网格开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
