[发明专利]一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法有效
| 申请号： | 201710224204.7 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107010940B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 谢斌;方宏;刘冠鹏 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/64 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孙笑飞 |
| 地址： | 471000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种控制氧含量制备TFT‑LCD用ITO溅射靶的方法，以ITO气化合金粉为原料，加入助剂和水球磨后造粒并压制成坯体，将坯体放入烧结炉后先对烧结炉内进行抽真空，然后逐步控制升温，当升温至脱脂温度后，立即向炉内通入氧气，在0.03—0.05MPa的氧气压力条件下保温脱脂，脱脂后逐步升高氧气压力至0.08—0.1MPa，同时逐步升温至烧结温度进行保温烧结，烧结后降温并停止通氧得到ITO溅射靶。坯体脱脂与烧结一体化，脱脂阶段即开始通氧，既加快脱脂进程，又避免脱脂温度下坯体失氧。抽真空后分阶段逐步提高通氧压力，以最少的通氧量满足不同阶段温度下利用氧气抑制坯体失氧的需求，通氧压力低，设备负荷更小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 含量 制备 tft lcd ito 溅射 方法 | ||
【主权项】：
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