[发明专利]全息平焦场光栅的制作方法在审
| 申请号： | 201710226785.8 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108693580A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京微美云息软件有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100041 北京市石景山*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出的全息平焦场光栅的制作方法，涉及一种全息光栅制作方法，步骤主要包括基底准备、旋涂光刻胶、曝光、显影、离子束刻烛、去除残余光刻胶及最后的离子束溅射渡金膜。本发明的全息光栅制作方法，工艺简单、容易控制，成功率高。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 全息光栅 制作 光刻胶 全息 焦场 离子束溅射 离子束 基底 金膜 显影 旋涂 去除 成功率 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种全息平焦场光栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、基底准备，采用体积配比为2:1的浓H2SO4:H2O2溶液清洗，清洗后用热水冲洗晾干，使用棉球擦拭表面，然后对基底表面进行灰化处理，以增强表面附着力；步骤2、旋涂光刻胶，旋涂瑞红光刻胶，采用密封涂胶，胶厚控制在300‑400nm；步骤3、曝光，搭建的球面波和非球面波记录光路曝光；步骤4、显影，利用5％的NaOH溶液显影得到光刻胶光栅掩模；步骤5、离子束刻烛，灰化技术控制光刻胶的占宽比，之后利用离子束刻蚀机KZ‑400将光刻胶图形转移到基底上；步骤6、去除残余光刻胶，利用浓H2SO4:H2O2溶液去除残余的光刻胶；步骤7、离子束溅射渡金膜，利用离子束溅射渡膜机在融石英光栅上镀100nm左右的金膜。
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