[发明专利]一种P型多晶硅沟槽结构的肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710235233.3 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN106952942A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 高盼盼;代萌;顾嘉庆 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司11234 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型多晶硅沟槽肖特基二极管，所述沟槽内部通过多晶硅淀设满，且所述多晶硅为P型掺杂多晶硅。本发明将传统的沟槽肖特基结构沟槽内部的氧化层和N型多晶硅的填充方式用P型多晶硅替代，达到降低大电流下开启电压的目的，通过调节多晶硅掺杂浓度，能达到提高击穿电压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 沟槽 结构 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括若干沟槽，所述沟槽内部通过多晶硅淀设满，且所述多晶硅为P型掺杂多晶硅。
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