[发明专利]用于静态随机存取存储器的温度补偿读取辅助电路有效

专利信息
申请号: 201710250231.1 申请日: 2017-04-17
公开(公告)号: CN107305782B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: D·K·加纳丹;A·库玛;H·乔拉;P·K·维玛 申请(专利权)人: 意法半导体国际有限公司
主分类号: G11C11/419 分类号: G11C11/419;G11C7/04
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了用于静态随机存取存储器的温度补偿读取辅助电路。存储器电路包括:字线;存储器单元,这些存储器单元连接至该字线;以及字线驱动器电路,该字线驱动器电路包括p沟道上拉晶体管。该存储器电路进一步包括读取辅助电路,该读取辅助电路包括n沟道下拉晶体管和n沟道二极管接法晶体管,其中,该n沟道下拉晶体管具有连接在该字线与接地节点之间的源漏路径,该n沟道二极管接法晶体管具有连接在正电源节点与该n沟道下拉晶体管的栅极端子之间的源漏路径。该n沟道二极管接法晶体管被配置成用于向该n沟道下拉晶体管的该栅极端子施加偏置电压,该偏置电压对于相对较低的温度而言是相对较低的电压并且对于相对较高的温度而言是相对较高的电压。
搜索关键词: 用于 静态 随机存取存储器 温度 补偿 读取 辅助 电路
【主权项】:
一种电路,包括:字线;多个存储器单元,所述多个存储器单元连接至所述字线;下拉晶体管,所述下拉晶体管具有连接在所述字线与接地节点之间的源漏路径;以及偏置电路,所述偏置电路被配置成用于向所述下拉晶体管的控制端子施加依赖于温度的偏置电压。
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